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结合光寻址电位传感器及纳米多孔硅技术研制了一种新型的气体传感器。
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Based on the silicon thermal flow sensor, a FEA model is given.
基于作者所在实验室研制的硅热流量传感器,给出了其有限元模型。
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介绍利用硅的各向异性腐蚀工艺腐蚀出的一种双E形结构非整体结构弹性膜硅芯片及用此芯片封装成的压力敏感元件。
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结果表明,多孔氧化硅和PET塑料可有效降低热释电元件的对外热传导,明显提高传感器的电压响应率和降低热释电元件的热噪声。
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研究讨论了硅一体化微机械结构型薄膜微电极电化学传感器件的稳定性及其相关的电化学问题.
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叙述了非晶硅半导体的结构、制备方法及特性,介绍了非晶硅在制作光电传感器、色敏传咸器、放射线(X射线等)传感器及应变传感器等方面的应用。
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研究与比较其他类型的振动传感器,本传感器选用标准的CMOS工艺与MEMS工艺相结合,以激光作为探测工具,以硅工艺中的硅材料作为敏感惯性材料。
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